Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet STB55NF06LT4 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 60 В, 55 А, D2PAK — Даташит

STMicroelectronics STB55NF06LT4

Наименование модели: STB55NF06LT4

44 предложений от 21 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
LIXINC Electronics
Весь мир
STB55NF06LT4
STMicroelectronics
18 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
STB55NF06LT4
STMicroelectronics
49 ₽
ЧипСити
Россия
STB55NF06LT4
STMicroelectronics
108 ₽
ICdarom.ru
Россия
STB55NF06LT4
STMicroelectronics
от 129 ₽
LED-драйверы MOSO для индустриальных приложений

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 60 В, 55 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STP55NF06L STB55NF06L - STB55NF06L-1
N-channel 60V - 0.014 - 55A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFETTM II Power MOSFET
General features
Type STP55NF06L STB55NF06L STB55NF06L-1
VDSS 60V 60V 60V

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 55 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 14 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 16 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
  • Рассеиваемая мощность: 95 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +175°C

  • Корпус транзистора: D2-PAK
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
  • Current Id Max: 55 А
  • Тип корпуса: D2-PAK
  • Способ монтажа: SMD
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 60 В
  • Voltage Vgs Max: 1.7 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet STB55NF06LT4 - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 60 V, 55 A, D2PAK

Электронные компоненты. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка от ТМ Электроникс