Datasheet IRF630 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, TO-220 — Даташит
Наименование модели: IRF630
 Купить IRF630 на РадиоЛоцман.Цены — от 11 до 119 ₽87 предложений от 38 поставщиков Транзисторы разные.Корпус: TO-220ABТок: стока: 9,5 АМощность: рассеиваемая: 82 ВтКонфигурация: N-каналМаксимальное напряжение: затвор-исток: 20 ВСопротивление: канала в открытом состоянии: 300 мОмКоэффициент: сопротивления... | |||
| IRF630 STMicroelectronics | 20 ₽ | ||
| IRF630NPBF TO-220 International Rectifier | 39 ₽ | ||
| IRF630NPBF Infineon | от 40 ₽ | ||
| IRF630NSPBF, Транзистор, N-канал 200В 9.5А [D2-PAK] Connfly | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N, TO-220
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
IRF630 IRF630FP
N-channel 200V - 0.35 - 9A TO-220/TO-220FP Mesh overlayTM II Power MOSFET
General features
Type IRF630 IRF630FP
VDSS 200V 200V
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 9 А
- Drain Source Voltage Vds: 200 В
- On State Resistance: 400 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 3 В
- Корпус транзистора: TO-220
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Альтернативный тип корпуса: SOT-78B
- Capacitance Ciss Typ: 540 пФ
- Current Id Max: 9 А
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Расстояние между выводами: 2.54 мм
- Количество транзисторов: 1
- On State resistance @ Vgs = 10V: 400 МОм
- Тип корпуса: TO-220
- Pin Configuration: А
- Pin Format: 1 г, (2+Tab)D, 3 с
- Power Dissipation Pd: 100 Вт
- Pulse Current Idm: 36 А
- Reverse Recovery Time trr Typ: 170 нс
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Voltage Vds Typ: 200 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 4 В
- Voltage Vgs th Min: 2 В
RoHS: Y-Ex
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
- Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
- Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS
- Fischer Elektronik - WLK 5
