Datasheet PHK4NQ20T - NXP Даташит Полевой транзистор, N, SO-8 — Даташит

Купить PHK4NQ20T на РадиоЛоцман.Цены 11 предложений от 11 поставщиков TrenchMOS standard level FET
Кремний Россия и страны СНГ	PHK4NQ20T	по запросу	Купить
ТаймЧипс Россия	PHK4NQ20T118 NXP	по запросу	Купить
LIXINC Electronics Весь мир	PHK4NQ20T NXP	по запросу	Купить
Allelco Весь мир	PHK4NQ20T NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PHK4NQ20T
TrenchMOSTM standard level FET
M3D315
Rev.

01 -- 20 January 2003
Product data

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 4 А
• Drain Source Voltage Vds: 200 В
• On State Resistance: 130 МОм
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 5.2 мм
• Внешняя длина / высота: 1.75 мм
• Внешняя ширина: 4.05 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOIC
• Power Dissipation Pd: 6.25 Вт
• Pulse Current Idm: 16 А
• Расстояние между рядами выводов: 6.3 мм
• SMD Marking: PHK4NQ20T
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Voltage Vds Typ: 200 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть