Datasheet SI2304DS,215 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 1.7 А, SOT23 — Даташит
Наименование модели: SI2304DS,215
Купить SI2304DS,215 на РадиоЛоцман.Цены — от 3.56 до 39 ₽ 14 предложений от 14 поставщиков Trans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3Pin TO-236AB T/R | |||
SI2304DS,215 NXP | 3.56 ₽ | ||
SI2304DS,215 NXP | 6.57 ₽ | ||
SI2304DS,215 Nexperia | 11 ₽ | ||
SI2304DS.215 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 1.7 А, SOT23
Краткое содержание документа:
SI2304DS
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Rev.
01 -- 17 August 2001
M3D088
Product data
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 500 мА
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 117 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
- Рассеиваемая мощность: 830 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Id Max: 1.7 А
- Тип корпуса: SOT-23
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Enhancement
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Max: 2 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SI2304DS215, SI2304DS 215