Клеммные колодки Keen Side

Datasheet SI2304DS,215 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 1.7 А, SOT23 — Даташит

NXP SI2304DS,215

Наименование модели: SI2304DS,215

14 предложений от 14 поставщиков
Trans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3Pin TO-236AB T/R
SI2304DS,215
NXP
3.56 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SI2304DS,215
NXP
6.57 ₽
Триема
Россия
SI2304DS,215
Nexperia
11 ₽
SI2304DS.215
Vishay
по запросу

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 1.7 А, SOT23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SI2304DS
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Rev.

01 -- 17 August 2001
M3D088
Product data

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 500 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 117 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
  • Рассеиваемая мощность: 830 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Current Id Max: 1.7 А
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Способ монтажа: SMD
  • Тип транзистора: Enhancement
  • Voltage Vds Typ: 30 В
  • Voltage Vgs Max: 2 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI2304DS215, SI2304DS 215

На английском языке: Datasheet SI2304DS,215 - NXP MOSFET, N CH, 30 V, 1.7 A, SOT23

Электронные компоненты. Скидки 15%, кэшбэк 15% и бесплатная доставка от ТМ Электроникс