Миграция проектов на ПЛИС новых производителей

Datasheet PSMN030-60YS - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 60 В, 29 А, LFPAK — Даташит

NXP PSMN030-60YS

Наименование модели: PSMN030-60YS

36 предложений от 17 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
AiPCBA
Весь мир
PSMN030-60YS,115
TE Connectivity
17 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
PSMN030-60YS.115
Nexperia
19 ₽
LIXINC Electronics
Весь мир
PSMN030-60YS
Nexperia
от 21 ₽
LifeElectronics
Россия
PSMN030-60YS,115
NXP
по запросу
Часто задаваемые вопросы о продукции MOSO

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 60 В, 29 А, LFPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PSMN030-60YS
N-channel LFPAK 60 V 24.7 m standard level MOSFET
Rev.

02 -- 25 October 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 60 В
  • On State Resistance: 19.1 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Корпус транзистора: SOT-669
  • Количество выводов: 4
  • Current Id Max: 29 А
  • Power Dissipation Pd: 56 Вт

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

  • CIRCUITWORKS - CW8100

Варианты написания:

PSMN03060YS, PSMN030 60YS

На английском языке: Datasheet PSMN030-60YS - NXP MOSFET, N CH, 60 V, 29 A, LFPAK

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка