Datasheet PHT4NQ10T,135 - NXP Даташит Полевой транзистор N-CH 100 В 3.5 А SOT223 — Даташит

Купить PHT4NQ10T,135 на РадиоЛоцман.Цены — от 8.31 до 63 ₽ 16 предложений от 12 поставщиков NEXPERIA - PHT4NQ10T,135 - MOSFET Transistor, N Channel, 1.75 A, 100 V, 0.2 ohm, 10 V, 3 V
Akcel Весь мир	PHT4NQ10T,135 Nexperia	от 8.31 ₽	Купить
HXD Co. Весь мир	PHT4NQ10T,135 Nexperia	13 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	PHT4NQ10T,135 NXP	47 ₽	Купить
ТаймЧипс Россия	PHT4NQ10T@135 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор N-CH 100 В 3.5 А SOT223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PHT4NQ10T
TrenchMOSTM standard level FET
M3D087
Rev.

02 -- 2 May 2002
Product data

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 1.75 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On State Resistance: 250 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 3 В
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 4
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Current Id Max: 3.5 А
• Тип корпуса: SOT-223
• Power Dissipation Pd: 6.9 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Тип транзистора: Enhancement
• Voltage Vds Typ: 130 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

PHT4NQ10T135, PHT4NQ10T 135