Datasheet PH8230E - NXP Даташит Полевой транзистор, N, 30 В, LFPAK — Даташит

Купить PH8230E на РадиоЛоцман.Цены — от 15 до 110 ₽ 19 предложений от 15 поставщиков N-channel trenchmos (tm) enhanced logic level fet
LIXINC Electronics Весь мир	PH8230E Philips	15 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	PH8230E.115 Nexperia	58 ₽	Купить
ЧипСити Россия	PH8230E,115 NXP	110 ₽	Купить
ЭлектроПласт Россия	PH8230E.115 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N, 30 В, LFPAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PH8230E
N-channel TrenchMOSTM enhanced logic level FET
M3D748
Rev.

03 -- 02 March 2004
Product data

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 67 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On State Resistance: 7.6 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-669
• Количество выводов: 4
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Current Id Max: 67 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 6.2 мм
• Внешняя длина / высота: 1.2 мм
• Внешняя ширина: 5 мм
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• N-channel Gate Charge: 14nC
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 11 Ом
• On State Resistance Max: 8.2 Ом
• Тип корпуса: SOT-669
• Power Dissipation Pd: 62.5 Вт
• Pulse Current Idm: 268 А
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Min: 1 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• LICEFA - V11-7-6-10
• LICEFA - V11-7