Datasheet BSP250,115 - NXP Даташит Полевой транзистор P-CH 30 В 3 А SOT223 — Даташит

Купить BSP250,115 на РадиоЛоцман.Цены — от 22 до 74 ₽ 42 предложений от 20 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
Akcel Весь мир	BSP250,115 Nexperia	от 22 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	BSP250.115 Nexperia	28 ₽	Купить
HXD Co. Весь мир	BSP250,115 Nexperia	46 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	BSP250,115	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор P-CH 30 В 3 А SOT223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BSP250 P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
Product specification Supersedes data of November 1994 File under Discrete Semiconductors, SC13b 1997 Jun 20
Philips Semiconductors

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: -1 А
• Drain Source Voltage Vds: -30 В
• On Resistance Rds(on): 250 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: -2.8 В
• Рассеиваемая мощность: 5 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Current Id Max: -2.8 мА
• Тип корпуса: SOT-223
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Enhancement
• Voltage Vds Typ: -30 В
• Voltage Vgs Max: -2.8 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

BSP250115, BSP250 115