Datasheet BSH205 - NXP Даташит Полевой транзистор, P, SOT-23 — Даташит

Купить BSH205 на РадиоЛоцман.Цены — от 3.39 до 91 ₽ 21 предложений от 20 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
LIXINC Electronics Весь мир	BSH205,215 NXP	от 3.39 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	BSH205G2215 NXP	4.68 ₽	Купить
Элитан Россия	BSH205G2 NXP	7.34 ₽	Купить
LifeElectronics Россия	BSH205-- NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, P, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Philips Semiconductors
Product specification
P-channel enhancement mode MOS transistor
FEATURES
· Very low threshold voltage · Fast switching · Logic level compatible · Subminiature surface mount package

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 750 мА
• Drain Source Voltage Vds: -12 В
• On State Resistance: 400 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
• Voltage Vgs Max: -8 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Current Id Max: -750 мА
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 2.5 мм
• Внешняя длина / высота: 1.12 мм
• Внешняя ширина: 3.05 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 500 МОм
• Тип корпуса: SOT-23
• Power Dissipation Pd: 417 мВт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 417 мВт
• Pulse Current Idm: 3 А
• Ширина ленты: 8 мм
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 680 мВ
• Voltage Vds Typ: 12 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
• Voltage Vgs th P Channel Min: 0.68 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• LICEFA - V11-7
• Roth Elektronik - RE901