Datasheet BSH201,215 - NXP Даташит Полевой транзистор P-CH 60 В 300 мА SOT-23 — Даташит

Купить BSH201,215 на РадиоЛоцман.Цены — от 3.63 до 41 ₽ 45 предложений от 20 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
LIXINC Electronics Весь мир	BSH201,215 NXP	от 3.63 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	BSH201,215 NXP	6.05 ₽	Купить
ЭИК Россия	BSH201,215 Nexperia	от 24 ₽	Купить
HXD Co. Весь мир	BSH201,215 Nexperia	41 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор P-CH 60 В 300 мА SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Philips Semiconductors
Product specification
P-channel enhancement mode MOS transistor
FEATURES
· Low threshold voltage · Fast switching · Logic level compatible · Subminiature surface mount package

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: -160 мА
• Drain Source Voltage Vds: -60 В
• On Resistance Rds(on): 2.5 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: -1.9 В
• Рассеиваемая мощность: 417 мВт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Current Id Max: -300 мА
• Тип корпуса: SOT-23
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Enhancement
• Voltage Vds Typ: -60 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В
• Voltage Vgs th Max: 1.9 В

RoHS: есть

Варианты написания:

BSH201215, BSH201 215