Datasheet IXUC200N055 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, ISOPLUS220 — Даташит
Наименование модели: IXUC200N055
![]() 8 предложений от 8 поставщиков IXYS SEMICONDUCTOR IXUC200N055 MOSFET Transistor, N Channel, 200 A, 55 V, 5.1 mohm, 10 V, 4 V | |||
IXUC200N055 IXYS | 817 ₽ | ||
IXUC200N055TRENCHGATE IXYS | по запросу | ||
IXUC200N055 IXYS | по запросу | ||
IXUC200N055 IXYS | по запросу |
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: Полевой транзистор, N, ISOPLUS220
Краткое содержание документа:
ADVANCED TECHNICAL INFORMATION
Trench Power MOSFET
ISOPLUS220TM
Electrically Isolated Back Surface
IXUC200N055
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 200 А
- Drain Source Voltage Vds: 55 В
- On State Resistance: 5.1 МОм
- Корпус транзистора: ISOPLUS-220
- Напряжение изоляции: 2.5 кВ
- N-channel Gate Charge: 44nC
- Тип корпуса: ISOPLUS-220
- Power Dissipation Pd: 300 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Voltage Vds Typ: 55 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Reverse Recovery Time trr Max: 80 нс
- Rth: 0.5
RoHS: есть