Datasheet NTE2387 - NTE Electronics Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 800 В, 4 А, TO-220 — Даташит

Купить NTE2387 на РадиоЛоцман.Цены — от 735 до 99 488 ₽ 14 предложений от 10 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,6А; Idm: 16А; 125Вт; TO220
ChipWorker Весь мир	NTE2387 NTE Electronics	735 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	NTE2387	от 916 ₽	Купить
ЧипСити Россия	NTE2387 NTE Electronics	1 433 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	NTE2387 NTE Electronics	3 678 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 800 В, 4 А, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE2387 MOSFET N­Channel Enhancement Mode, High Speed Switch
Absolute Maximum Ratings: Drain­Source Voltage, VDS .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V Drain­Gate Voltage (RGS = 20k), VDGR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V Gate­Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±30V Pulsed Drain Current, IDM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16A Continuous Drain Current, ID TC = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.0A TC = +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5A Total Dissipation (TC =

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 4 А
• Drain Source Voltage Vds: 800 В
• On Resistance Rds(on): 3 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• WAKEFIELD SOLUTIONS - 273-AB