Datasheet IRF350 - Intersil Даташит Полевой транзистор, N TO-3 ((NW)) — Даташит
Наименование модели: IRF350
![]() 32 предложений от 22 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 400V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-3, 2 PIN | |||
IRF350 Intersil | 960 ₽ | ||
IRF350 Infineon | 2 056 ₽ | ||
IRF350CHP(DIE) | по запросу | ||
IRF350 Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Intersil
Описание: Полевой транзистор, N TO-3 ((NW))
Краткое содержание документа:
PD - 90339F
REPETITIVE A ALANCHE AND dv/dt RATED V
HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE)
Product Summary
Part Number IRF350 BVDSS 400V RDS(on) 0.300 ID 14A
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 15 А
- Drain Source Voltage Vds: 400 В
- On State Resistance: 300 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-3
- Количество выводов: 2
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Альтернативный тип корпуса: TO-204AA
- Current Id Max: 15 А
- Current Temperature: 25°C
- Fixing Centres: 30 мм
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Расстояние между выводами: 11 мм
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: TO-3
- Power Dissipation Pd: 150 Вт
- Pulse Current Idm: 60 А
Дополнительные аксессуары:
- Dow Corning - 2265931
- Fischer Elektronik - TF 3 2
- Multicomp - MK3301/S
- Multicomp - MK3304