Datasheet IXFT36N60P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-268 — Даташит

Купить IXFT36N60P на РадиоЛоцман.Цены — от 720 до 765 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков IXYS SEMICONDUCTOR IXFT36N60P Power MOSFET, PolarFET, N Channel, 36A, 600V, 190mohm, 10V, 5V
ЧипСити Россия	IXFT36N60P IXYS	720 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IXFT36N60P IXYS	765 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IXFT36N60P	по запросу	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	IXFT36N60P IXYS	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, TO-268

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode
IXFH 36N60P IXFK 36N60P IXFT 36N60P
VDSS = 600 V ID25 = 36 A RDS(on) 190 m trr 200 ns
Symbol VDSS VDGR VGSS VGSM ID25 IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg Md Weight

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 36 А
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On State Resistance: 190 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-268
• Количество выводов: 3
• Capacitance Ciss Typ: 5800 пФ
• Current Id Max: 36 А
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.19°C/W
• N-channel Gate Charge: 102nC
• Тип корпуса: TO-268
• Power Dissipation Pd: 650 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
• Voltage Vds Typ: 600 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Reverse Recovery Time trr Max: 200 нс

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A