Datasheet IXFN80N50 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, SOT-227B — Даташит
Наименование модели: IXFN80N50
Купить IXFN80N50 на РадиоЛоцман.Цены — от 398 до 7 870 ₽ 29 предложений от 17 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные | |||
IXFN80N50P IXYS | 398 ₽ | ||
IXFN80N50Q2 IXYS | от 629 ₽ | ||
IXFN80N50 | по запросу | ||
IXFN80N50ROHS IXYS | по запросу |
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: Полевой транзистор, N, SOT-227B
Краткое содержание документа:
HiPerFETTM Power MOSFETs Single Die MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr
IXFN 80N50
D
VDSS ID25 RDS(on) trr
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 80 А
- Drain Source Voltage Vds: 500 В
- On State Resistance: 55 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 4.5 В
- Корпус транзистора: ISOTOP
- Количество выводов: 4
- Avalanche Single Pulse Energy Eas: 4J
- Current Id Max: 80 А
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- N-channel Gate Charge: 380nC
- Количество транзисторов: 1
- On State Resistance Max: 55 МОм
- Тип корпуса: ISOTOP
- Power Dissipation Pd: 780 Вт
- Pulse Current Idm: 320 А
- Rate of Voltage Change dv / dt: 5V/ns
- Repetitive Avalanche Energy Max: 64mJ
- Reverse Recovery Time trr Typ: 250 нс
- Способ монтажа: Screw
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4.5 В
- Тип транзистора: MOSFET
- Voltage Vds Typ: 500 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 4.5 В
- Вес: 0.000036kg
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA121807A
- SCHRODER - 20900