Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet IXFN80N50 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, SOT-227B — Даташит

IXYS IXFN80N50

Наименование модели: IXFN80N50

23 предложений от 18 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
T-electron
Россия и страны СНГ
IXFN80N50P
IXYS
386 ₽
LIXINC Electronics
Весь мир
IXFN80N50Q2
IXYS
от 609 ₽
Элитан
Россия
IXFN80N50P
Littelfuse
4 853 ₽
IXFN80N50ROHS
IXYS
по запросу

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-227B

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
HiPerFETTM Power MOSFETs Single Die MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr
IXFN 80N50
D
VDSS ID25 RDS(on) trr

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 80 А
  • Drain Source Voltage Vds: 500 В
  • On State Resistance: 55 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 4.5 В
  • Корпус транзистора: ISOTOP
  • Количество выводов: 4
  • Avalanche Single Pulse Energy Eas: 4J
  • Current Id Max: 80 А
  • Current Temperature: 25°C
  • Full Power Rating Temperature: 25°C
  • Температура перехода максимальная: 150°C
  • Температура перехода минимальная: -55°C
  • N-channel Gate Charge: 380nC
  • Количество транзисторов: 1
  • On State Resistance Max: 55 МОм
  • Тип корпуса: ISOTOP
  • Power Dissipation Pd: 780 Вт
  • Pulse Current Idm: 320 А
  • Rate of Voltage Change dv / dt: 5V/ns
  • Repetitive Avalanche Energy Max: 64mJ
  • Reverse Recovery Time trr Typ: 250 нс
  • Способ монтажа: Screw
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4.5 В
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 500 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
  • Voltage Vgs th Max: 4.5 В
  • Вес: 0.000036kg

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Panasonic - EYGA121807A
  • SCHRODER - 20900

На английском языке: Datasheet IXFN80N50 - IXYS MOSFET, N, SOT-227B

Электронные компоненты. Скидки 15%, кэшбэк 15% и бесплатная доставка от ТМ Электроникс