Источники питания Keen Side

Datasheet IXFN64N60P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, SOT-227B — Даташит

IXYS IXFN64N60P

Наименование модели: IXFN64N60P

15 предложений от 12 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
ЧипСити
Россия
IXFN64N60P
Littelfuse
2 038 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
IXFN64N60P
IXYS
2 203 ₽
Зенер
Россия и страны ТС
IXFN64N60P
IXYS
от 2 256 ₽
AiPCBA
Весь мир
IXFN64N60P
IXYS
2 450 ₽

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-227B

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode
IXFN 64N60P
VDSS ID25
RDS(on) trr

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 64 А
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On State Resistance: 96 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 30 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: ISOTOP
  • Количество выводов: 4
  • Capacitance Ciss Typ: 12000 пФ
  • Current Id Max: 50 А
  • Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.18°C/W
  • N-channel Gate Charge: 200nC
  • Тип корпуса: ISOTOP
  • Power Dissipation Pd: 700 Вт
  • Способ монтажа: Screw
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
  • Voltage Vds Typ: 600 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
  • Reverse Recovery Time trr Max: 200 нс

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Panasonic - EYGA121807A
  • SCHRODER - 20900

На английском языке: Datasheet IXFN64N60P - IXYS MOSFET, N, SOT-227B

Электронные компоненты. Скидки 15%, кэшбэк 15% и бесплатная доставка от ТМ Электроникс