Datasheet IXFN64N60P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, SOT-227B — Даташит
Наименование модели: IXFN64N60P
Купить IXFN64N60P на РадиоЛоцман.Цены — от 2 038 до 3 355 ₽ 15 предложений от 12 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные | |||
IXFN64N60P Littelfuse | 2 038 ₽ | ||
IXFN64N60P IXYS | 2 203 ₽ | ||
IXFN64N60P IXYS | от 2 256 ₽ | ||
IXFN64N60P IXYS | 2 450 ₽ |
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: Полевой транзистор, N, SOT-227B
Краткое содержание документа:
PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode
IXFN 64N60P
VDSS ID25
RDS(on) trr
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 64 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On State Resistance: 96 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: ISOTOP
- Количество выводов: 4
- Capacitance Ciss Typ: 12000 пФ
- Current Id Max: 50 А
- Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.18°C/W
- N-channel Gate Charge: 200nC
- Тип корпуса: ISOTOP
- Power Dissipation Pd: 700 Вт
- Способ монтажа: Screw
- Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
- Voltage Vds Typ: 600 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Reverse Recovery Time trr Max: 200 нс
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA121807A
- SCHRODER - 20900