Datasheet IXFN64N60P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, SOT-227B — Даташит

Купить IXFN64N60P на РадиоЛоцман.Цены — от 2 104 до 3 465 ₽ 10 предложений от 10 поставщиков MOSFET N-CH 600V 50A SOT227B / N-Channel 600 V 50A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
ЧипСити Россия	IXFN64N60P Littelfuse	2 104 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	IXFN64N60P IXYS	2 275 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IXFN64N60P	по запросу	Купить
Allelco Весь мир	IXFN64N60P IXYS	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-227B

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode
IXFN 64N60P
VDSS ID25
RDS(on) trr

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 64 А
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On State Resistance: 96 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: ISOTOP
• Количество выводов: 4
• Capacitance Ciss Typ: 12000 пФ
• Current Id Max: 50 А
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.18°C/W
• N-channel Gate Charge: 200nC
• Тип корпуса: ISOTOP
• Power Dissipation Pd: 700 Вт
• Способ монтажа: Screw
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
• Voltage Vds Typ: 600 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Reverse Recovery Time trr Max: 200 нс

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA121807A
• SCHRODER - 20900