Datasheet IXFN64N60P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, SOT-227B — Даташит

Купить IXFN64N60P на РадиоЛоцман.Цены — от 729 до 5 764 ₽ 37 предложений от 17 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
ChipWorker Весь мир	IXFN64N60P IXYS	1 309 ₽	Купить
Зенер Россия и страны ТС	IXFN64N60P IXYS	от 2 066 ₽	Купить
IC Home Весь мир	IXFN64N60P IXYS	2 882 ₽	Купить
Океан Электроники Россия	IXFN64N60P IXYS	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-227B

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode
IXFN 64N60P
VDSS ID25
RDS(on) trr

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 64 А
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On State Resistance: 96 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: ISOTOP
• Количество выводов: 4
• Capacitance Ciss Typ: 12000 пФ
• Current Id Max: 50 А
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.18°C/W
• N-channel Gate Charge: 200nC
• Тип корпуса: ISOTOP
• Power Dissipation Pd: 700 Вт
• Способ монтажа: Screw
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
• Voltage Vds Typ: 600 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Reverse Recovery Time trr Max: 200 нс

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA121807A
• SCHRODER - 20900