Datasheet IXFN180N15P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, SOT-227B — Даташит

Купить IXFN180N15P на РадиоЛоцман.Цены — от 222 до 4 674 ₽ 25 предложений от 14 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
LIXINC Electronics Весь мир	IXFN180N15P IXYS	от 222 ₽	Купить
ЧипСити Россия	IXFN180N15P Littelfuse	1 780 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IXFN180N15P IXYS	2 006 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IXFN180N15P	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-227B

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PolarHTTM HiPerFET IXFN 180N15P Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode
VDSS ID25
RDS(on) trr
= 150 V = 150 A 11 m 200 ns

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 180 А
• Drain Source Voltage Vds: 150 В
• On State Resistance: 11 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: ISOTOP
• Количество выводов: 4
• Capacitance Ciss Typ: 7000 пФ
• Current Id Max: 150 А
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.22°C/W
• N-channel Gate Charge: 240nC
• Тип корпуса: ISOTOP
• Power Dissipation Pd: 680 Вт
• Способ монтажа: Screw
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
• Voltage Vds Typ: 150 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Reverse Recovery Time trr Max: 200 нс

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA121807A
• SCHRODER - 20900