Datasheet IXFH12N100Q - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-247 — Даташит

Купить IXFH12N100Q на РадиоЛоцман.Цены — от 273 до 3 567 ₽ 17 предложений от 12 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
LIXINC Electronics Весь мир	IXFH12N100Q IXYS	от 273 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IXFH12N100Q IXYS	1 267 ₽	Купить
HXD Co. Весь мир	IXFH12N100Q IXYS	3 567 ₽	Купить
Augswan Весь мир	IXFH12N100Q IXYS	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, TO-247

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
HiPerFETTM Power MOSFETs Q Class
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Low Qg, High dv/dt
VDSS IXFH/IXFT12N100Q IXFH/IXFT10N100Q
ID25
RDS(on)

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 12 А
• Drain Source Voltage Vds: 1 кВ
• On State Resistance: 1.05 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-247
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 12 А
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• N-channel Gate Charge: 90nC
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 1.05 Ом
• Тип корпуса: TO-247
• Power Dissipation Pd: 300 Вт
• Pulse Current Idm: 48 А
• Rate of Voltage Change dv / dt: 5V/ns
• Repetitive Avalanche Energy Max: 30mJ
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5.5 В
• Тип транзистора: MOSFET
• Voltage Vds Typ: 1 кВ
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 5.5 В
• Вес: 6 г

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 H
• Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 O
• Fischer Elektronik - SK 145/25 STS-220
• Fischer Elektronik - WLK 5