Datasheet IXFH120N15P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-247 — Даташит

Купить IXFH120N15P на РадиоЛоцман.Цены — от 315 до 1 306 ₽ 24 предложений от 13 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
LIXINC Electronics Весь мир	IXFH120N15P IXYS	от 315 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	IXFH120N15P IXYS	526 ₽	Купить
ЭИК Россия	IXFH120N15P IXYS	от 1 306 ₽	Купить
МосЧип Россия	IXFH120N15P IXYS	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, TO-247

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PolarHTTM HiPerFET Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Energy Rated Fast Intrinsic Diode
Symbol VDSS VDGR VDSS VGSM ID25 IL(RMS) IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg TL TSOLD Md Weight Test Conditions TJ = 25° C to 175° C TJ = 25° C to 175° C; RGS = 1 M Continuous Transient TC = 25° C External lead current limit
IXFH 120N15P IXFT 120N15P
VDSS ID25

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 120 А
• Drain Source Voltage Vds: 150 В
• On State Resistance: 16 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: TO-247
• Количество выводов: 3
• Capacitance Ciss Typ: 4900 пФ
• Current Id Max: 120 А
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.25°C/W
• N-channel Gate Charge: 150nC
• Тип корпуса: TO-247
• Power Dissipation Pd: 600 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
• Voltage Vds Typ: 150 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Reverse Recovery Time trr Max: 200 нс

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Dow Corning - 2265931
• Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 O
• Fischer Elektronik - WLK 5