Datasheet IRF7325PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, PP, LOGIC, SO-8 — Даташит

Купить IRF7325PBF на РадиоЛоцман.Цены MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC
T-electron Россия и страны СНГ	IRF7325PBF International Rectifier	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IRF7325PBF	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IRF7325PBF Infineon	по запросу	Купить
Akcel Весь мир	IRF7325PBF Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, PP, LOGIC, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD- 95721
IRF7325PbF
HEXFET® Power MOSFET
Trench Technology Ultra Low On-Resistance Dual P-Channel MOSFET Low Profile (<1.8mm) Available in Tape & Reel Lead-Free Description
New P-Channel HEXFET® power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.

This benefit, combined with the ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized leadframe for enhanced thermal characteristics and multiple-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space. The package is designed for vapor phase, infrared, or wave soldering techniques.

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 7.8 А
• Drain Source Voltage Vds: 12 В
• On Resistance Rds(on): 24 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
• Voltage Vgs Max: -900 мВ
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: -7.8 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 5.2 мм
• Внешняя длина / высота: 1.75 мм
• Внешняя ширина: 4.05 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: SOIC
• Power Dissipation Pd: 2 Вт
• Pulse Current Idm: 39 А
• Расстояние между рядами выводов: 6.3 мм
• SMD Marking: IRF7325PBF
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: -900 мВ
• Voltage Vds Typ: -12 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: -4.5 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Dow Corning - 2265931
• Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
• Fischer Elektronik - WLK 5
• Roth Elektronik - RE932-01