Datasheet IRF7853PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, 100 В, SO-8 — Даташит

Купить IRF7853PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 53 до 481 ₽ 14 предложений от 12 поставщиков MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
HXD Co. Весь мир	IRF7853PBF Infineon	53 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	IRF7853PBF Infineon	56 ₽	Купить
Romstore Россия, Беларусь	IRF7853PBF	от 166 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IRF7853PBF International Rectifier	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, 100 В, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 97069
IRF7853PbF
HEXFET® Power MOSFET
Applications Primary Side Switch in Bridge Topology VDSS RDS(on) max ID in Universal Input (36-75Vin) Isolated 100V 18m:@VGS = 10V 8.3A DC-DC Converters l Primary Side Switch in Push-Pull Topology for 18-36Vin Isolated DC-DC A Converters A 1 8 D S l Secondary Side Synchronous 2 7 Rectification Switch for 15Vout S D l Suitable for 48V Non-Isolated 3 6 S D Synchronous Buck DC-DC Applications 4 5 G D Benefits l Low Gate to Drain Charge to Reduce SO-8 Top View Switching Losses l Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App.

Note AN1001) l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Absolute Maximum Ratings
l

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 8.3 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 18 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Cont Current Id @ 25В°C: 8.3 А
• Cont Current Id @ 70В°C: 6.6
• Current Id Max: 8.3 А
• Тип корпуса: SOIC
• Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
• Pulse Current Idm: 66 А
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4.9 В
• Voltage Vds: 100 В
• Voltage Vds Typ: 100 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Rth: 50

RoHS: есть