Datasheet IRF7606PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, P, MICRO-8 — Даташит
Наименование модели: IRF7606PBF
Купить IRF7606PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 37 до 815 ₽ 10 предложений от 10 поставщиков Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-Pin Micro8 T/R | |||
| IRF7606PBF Infineon | 37 ₽ | ||
| IRF7606PBF Infineon | 51 ₽ | ||
| IRF7606PBF Infineon | по запросу | ||
| IRF7606PBF Infineon | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, P, MICRO-8
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
PD - 91264E
IRF7606
HEXFET® Power MOSFET
l l l l l l l
Generation V Technology Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET Very Small SOIC Package Low Profile (<1.1mm) Available in Tape & Reel Fast Switching
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 3.6 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 90 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Voltage Vgs Max: -20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: MicroSOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Capacitance Ciss Typ: 520 пФ
- Charge Qrr @ Tj = 25В°C Typ: 50nC
- Current Id Max: -3.6 А
- Current Temperature: 25°C
- External Depth: 5.03 мм
- Внешняя длина / высота: 1.11 мм
- Внешняя ширина: 3.05 мм
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Gfs Min: 2.3A/V
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- Расстояние между выводами: 0.65 мм
- Количество транзисторов: 1
- On State Resistance Max: 90 МОм
- Тип корпуса: Micro8
- Power Dissipation Pd: 1.8 Вт
- Pulse Current Idm: 19 А
- Rate of Voltage Change dv / dt: 5V/ns
- Reverse Recovery Time trr Typ: 43 нс
- Расстояние между рядами выводов: 4.24 мм
- SMD Marking: 7606
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: -1 В
- Voltage Vds: 30 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- LICEFA - V11-7-6-10
- LICEFA - V11-7
- Roth Elektronik - RE903
