Datasheet IRF7413PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, LOGIC, SO-8 — Даташит

Купить IRF7413PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 6.71 до 574 ₽ 33 предложений от 20 поставщиков Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = -30 В, Rоткр = 0.011 Ом, Id(25°C) = 11 A
Lixinc Electronics Весь мир	IRF7413PBF Infineon	от 13 ₽	Купить
Триема Россия	IRF7413PBF MOSFET N-CH 30V 13A	28 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	IRF7413PBF Infineon	от 151 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IRF7413PBF	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, LOGIC, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 95017C
l l l l l l l l l
Generation V Technology Ultra Low On-Resistance N-Channel Mosfet Surface Mount Available in Tape & Reel Dynamic dv/dt Rating Fast Switching 100% RG Tested Lead-Free
HEXFET® Power MOSFET
S S S G

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 12 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 10 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 3 В
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 13 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 5.2 мм
• Внешняя длина / высота: 1.75 мм
• Внешняя ширина: 4.05 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOIC
• Pin Configuration: b
• Pin Format: 1 с
• Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
• Pulse Current Idm: 58 А
• Расстояние между рядами выводов: 6.3 мм
• SMD Marking: F7413
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Dow Corning - 2265931
• Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
• Fischer Elektronik - WLK 5
• Roth Elektronik - RE932-01