Datasheet IPP50R250CP - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-220 — Даташит

Купить IPP50R250CP на РадиоЛоцман.Цены — от 135 до 251 ₽ 9 предложений от 9 поставщиков MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
T-electron Россия и страны СНГ	IPP50R250CP Infineon	135 ₽	Купить
ЧипСити Россия	IPP50R250CP Infineon	238 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IPP50R250CP Infineon	251 ₽	Купить
Стандарт СИЗ Россия	IPP50R250CP (ST-STP19NM50N)	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPP50R199CP
CoolMOSTM Power Transistor
Features · Lowest figure-of -merit R ON x Qg · Ultra low gate charge · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Quailfied according to JEDEC1) for target applications
Product Summary V DS @Tjmax R DS(on),max Q g,typ 550 0.199 34 V nC
PG-TO220

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 13 А
• Drain Source Voltage Vds: 550 В
• On Resistance Rds(on): 250 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-220
• Current Id Max: 13 А
• Тип корпуса: TO-220
• Power Dissipation Pd: 114 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 550 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть