Datasheet SPW11N60CFD - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, COOLMOS, TO-247 — Даташит
Наименование модели: SPW11N60CFD
 Купить SPW11N60CFD на РадиоЛоцман.Цены — от 11 до 188 ₽11 предложений от 10 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 | |||
| SPW11N60CFD Rochester Electronics | от 11 ₽ | ||
| SPW11N60CFD Infineon | 149 ₽ | ||
| SPW11N60CFD_08 Infineon | по запросу | ||
| SPW11N60CFD Infineon | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N, COOLMOS, TO-247
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
SPW11N60CFD Cool MOSTM Power Transistor
Feature · New revolutionary high voltage technology · Ultra low gate charge · Periodic avalanche rated · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Intrinsic fast-recovery body diode · Extreme low reverse recovery charge
PG-TO247
VDS @ Tjmax RDS(on) ID
650 0.44 11
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 11 А
- Drain Source Voltage Vds: 650 В
- On Resistance Rds(on): 440 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-247
- Количество выводов: 3
- Cont Current Id @ 25В°C: 11 А
- Current Id Max: 11 А
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: TO-247
- Power Dissipation Pd: 125 Вт
- Рассеиваемая мощность максимальная: 125 Вт
- Pulse Current Idm: 28 А
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Voltage Vds: 650 В
- Voltage Vds Typ: 650 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 5 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 H
- Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 O
- Fischer Elektronik - SK 145/25 STS-220
- Fischer Elektronik - WLK 5
