Datasheet SPI15N60CFD - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-262 — Даташит
Наименование модели: SPI15N60CFD
Купить SPI15N60CFD на РадиоЛоцман.Цены — от 133 до 413 ₽ 12 предложений от 12 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 13.4A I(D), 600V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-262AA, TO-262, 3 PIN | |||
SPI15N60CFD Infineon | 133 ₽ | ||
SPI15N60CFD Infineon | 140 ₽ | ||
SPI15N60CFD Infineon | 205 ₽ | ||
SPI15N60CFD Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N, TO-262
Краткое содержание документа:
SPI15N60CFD
CoolMOSTM Power Transistor
Features · Intrinsic fast-recovery body diode · Extremely low reverse recovery charge · Ultra low gate charge · Extreme dv /dt rated · High peak current capability · Qualified according to JEDEC1) for target applications CoolMOS CFD designed for: · Softswitching PWM Stages · LCD & CRT TV Type Type SPI15N60CFD SPP15N60CFD Package Package PG-TO262 PG-TO220 Marking Marking 15N60CFD 15N60CFD
Product Summary V DS @ Tjmax R DS(on),max ID 650 V
0.330 13.4 PG-TO262 A
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 13.4 А
- Drain Source Voltage Vds: 650 В
- On Resistance Rds(on): 330 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-262
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 13.4 А
- Тип корпуса: TO-262
- Power Dissipation Pd: 156 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 650 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A