Datasheet SPD04N80C3 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-252 — Даташит

Купить SPD04N80C3 на РадиоЛоцман.Цены — от 0.67 до 163 ₽ 33 предложений от 18 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
LIXINC Electronics Весь мир	SPD04N80C3ATMA1 Infineon	от 0.67 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	SPD04N80C3ATMA1 Infineon	64 ₽	Купить
HXD Co. Весь мир	SPD04N80C3BTMA1 Infineon	94 ₽	Купить
ЗУМ-СМД Россия	SPD04N80C3 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, TO-252

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SPD04N80C3 Cool MOSTM Power Transistor
Feature · New revolutionary high voltage technology · Ultra low gate charge · Periodic avalanche rated · Extreme dv/dt rated · Ultra low effective capacitances · Improved transconductance
VDS RDS(on) ID
800 1.3 4
PG-TO252

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 4 А
• Drain Source Voltage Vds: 800 В
• On Resistance Rds(on): 1.3 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-252
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 4 А
• Тип корпуса: TO-252
• Power Dissipation Pd: 63 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 800 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A