Datasheet IPI50R399CP - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-262 — Даташит

Infineon IPI50R399CP

Наименование модели: IPI50R399CP

Купить IPI50R399CP на РадиоЛоцман.Цены — от 169 до 178 ₽ 9 предложений от 9 поставщиков MOSFET N-CH 500V 9A TO-262
ЧипСити Россия	IPI50R399CP Infineon	169 ₽
AiPCBA Весь мир	IPI50R399CP Infineon	178 ₽
T-electron Россия и страны СНГ	IPI50R399CP Infineon	по запросу
Allelco Весь мир	IPI50R399CP	по запросу

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, TO-262

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPI50R399CP
CoolMOSTM Power Transistor
Features · Lowest figure of merit RON x Qg · Ultra low gate charge · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Quailfied according to JEDEC1) for target applications
Product Summary V DS @Tjmax R DS(on),max Q g,typ 560 0.399 17 V nC
PG-TO262

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 9 А
Drain Source Voltage Vds: 560 В
On Resistance Rds(on): 399 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
Корпус транзистора: TO-262
Количество выводов: 3
Current Id Max: 9 А
Тип корпуса: TO-262
Power Dissipation Pd: 83 Вт
Способ монтажа: Through Hole
Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
Тип транзистора: Power MOSFET
Voltage Vds Typ: 560 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

Panasonic - EYGA091203SM
Panasonic - EYGA121807A