Datasheet IPI50R399CP - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-262 — Даташит
Наименование модели: IPI50R399CP
Купить IPI50R399CP на РадиоЛоцман.Цены — от 175 до 184 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков MOSFET N-CH 500V 9A TO-262 | |||
IPI50R399CP Infineon | 175 ₽ | ||
IPI50R399CP Infineon | 184 ₽ | ||
IPI50R399CP Infineon | по запросу | ||
IPI50R399CP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N, TO-262
Краткое содержание документа:
IPI50R399CP
CoolMOSTM Power Transistor
Features · Lowest figure of merit RON x Qg · Ultra low gate charge · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Quailfied according to JEDEC1) for target applications
Product Summary V DS @Tjmax R DS(on),max Q g,typ 560 0.399 17 V nC
PG-TO262
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 9 А
- Drain Source Voltage Vds: 560 В
- On Resistance Rds(on): 399 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-262
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 9 А
- Тип корпуса: TO-262
- Power Dissipation Pd: 83 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 560 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A