Datasheet BSP318SL6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, LOGIC, REEL 1K — Даташит

Купить BSP318SL6327 на РадиоЛоцман.Цены — от 20 до 11 107 ₽ 16 предложений от 14 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
LIXINC Electronics Весь мир	BSP318SL6327 Infineon	20 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	BSP318SL6327HTSA1 Infineon	21 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	BSP318SL6327HTSA1 Infineon	43 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	BSP318SL6327XT Infineon	101 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, LOGIC, REEL 1K

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Final data
BSP318S
SIPMOS ® Small-Signal-Transistor
Features · N-Channel
·

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 2.6 А
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 90 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.6 В
• Рассеиваемая мощность: 1.8 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
• Current Id Max: 2.6 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 7.3 мм
• Внешняя длина / высота: 1.7 мм
• Внешняя ширина: 6.7 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOT-223
• Рассеиваемая мощность максимальная: 1.8 Вт
• Pulse Current Idm: 10.4 А
• Количество приборов в упаковке (ленте): 1000
• Ширина ленты: 12 мм
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 60 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 2 В

RoHS: есть