Datasheet BSP171PL6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, P, REEL 1K — Даташит

Купить BSP171PL6327 на РадиоЛоцман.Цены — от 27 до 107 ₽ 12 предложений от 12 поставщиков Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
T-electron Россия и страны СНГ	BSP171PL6327HTSA1 Infineon	27 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	BSP171PL6327HTSA1 Infineon	29 ₽	Купить
ТаймЧипс Россия	BSP171P-L6327 Infineon	по запросу	Купить
ЗУМ-СМД Россия	BSP171P(L6327) Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, P, REEL 1K

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSP171P
SIPMOS® Small-Signal-Transistor
Features · P-Channel · Enhancement mode · Logic level · Avalanche rated · dv /dt rated · Pb-free lead plating; RoHS compliant
Product Summary V DS R DS(on),max ID -60 0.3 -1.9 V A
PG-SOT-223

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 1.45 А
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 450 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
• Рассеиваемая мощность: 1.8 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 3
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 70mJ
• Current Id Max: -1.9 А
• Current Idss Max: 1 мкА
• Current Idss Typ: 0.00001 мкА
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 7.3 мм
• Внешняя длина / высота: 1.7 мм
• Внешняя ширина: 6.7 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOT-223
• Рассеиваемая мощность максимальная: 1.8 Вт
• Pulse Current Idm: 5.8 А
• Rate of Voltage Change dv / dt: 6kV/µs
• Количество приборов в упаковке (ленте): 1000
• SMD Marking: BSP171P
• Ширина ленты: 12 мм
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: -60 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В
• Voltage Vgs th Max: -2 В
• Voltage Vgs th Min: -1 В

RoHS: есть