Datasheet FDS6679AZ - Fairchild Даташит Полевой транзистор PCH 30 В 13 А 8SOIC — Даташит
Наименование модели: FDS6679AZ
Купить FDS6679AZ на РадиоЛоцман.Цены — от 4.42 до 2 130 ₽ 47 предложений от 23 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные | |||
FDS6679AZ ON Semiconductor | 4.42 ₽ | ||
FDS9926A FDS6680A FDS6679AZ FDS8884 FDS8878 FDS8958A FDS8962C FDS8984 FDS9435 FDS9933 FDS9945 SOP8 | 12 ₽ | ||
FDS6679AZ ON Semiconductor | от 52 ₽ | ||
FDS6679AZ Fairchild | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор PCH 30 В 13 А 8SOIC
Краткое содержание документа:
FDS6679AZ P-Channel PowerTrench® MOSFET
FDS6679AZ P-Channel PowerTrench® MOSFET
-30V, -13A, 9m General Description
This P-Channel MOSFET is producted using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance.
This device is well suited for Power Management and load switching applications common in Notebook Computers and Portable Battery Packs.
March 2009
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -13 А
- Drain Source Voltage Vds: -30 В
- On Resistance Rds(on): 9.3 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -1.9 В
- Рассеиваемая мощность: 2.5 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Id Max: -13 А
- Тип корпуса: SOIC
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: -30 В
- Voltage Vgs Max: -1.9 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В
RoHS: есть