Datasheet FDS6675BZ - Fairchild Даташит Полевой транзистор, P, SMD, SO-8 — Даташит

Купить FDS6675BZ на РадиоЛоцман.Цены — от 24 до 2 356 ₽ 34 предложений от 20 поставщиков Силовой МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 11 А, 0.0108 Ом, SOIC, Surface Mount
AiPCBA Весь мир	FDS6675BZ Fairchild	24 ₽	Купить
LIXINC Electronics Весь мир	FDS6675BZ	от 34 ₽	Купить
Триема Россия	FDS6675BZ ON Semiconductor	43 ₽	Купить
Зенер Россия и страны ТС	FDS6675BZ-G	61 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, P, SMD, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDS6675BZ P-Channel PowerTrench® MOSFET
FDS6675BZ P-Channel PowerTrench® MOSFET
-30V, -11A, 13m General Description
This P-Channel MOSFET is producted using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance.

This device is well suited for Power Management and load switching applications common in Notebook Computers and Portable Battery Packs.
March 2009

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 11 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 13 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: -2 В
• Рассеиваемая мощность: 2.5 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Current Id Max: -11 А
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOIC
• Pulse Current Idm: 55 А
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: -30 В
• Voltage Vgs Max: -25 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В

RoHS: есть