Datasheet ZXMN2F30FHTA - Diodes Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23 — Даташит
Наименование модели: ZXMN2F30FHTA
Купить ZXMN2F30FHTA на РадиоЛоцман.Цены — от 12 до 137 ₽ 30 предложений от 14 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные | |||
ZXMN2F30FHTA Diodes | от 12 ₽ | ||
ZXMN2F30FHTA Diodes | 13 ₽ | ||
ZXMN2F30FHTA Diodes | от 22 ₽ | ||
ZXMN2F30FHTA Diodes | 23 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Diodes
Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23
Краткое содержание документа:
ZXMN2F30FH 20V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFET
Summary
V(BR)DSS 20 RDS(on) () 0.045 @ VGS= 4.5V 0.065 @ VGS= 2.5V ID (A) 4.9 4.1
Description
This new generation Trench MOSFET from Zetex features low onresistance achievable with low (2.5V) gate drive.
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 4.9 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 45 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Voltage Vgs Max: 12 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 4.9 А
- On State Resistance @ Vgs = 2.5V: 65 МОм
- On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 45 МОм
- Тип корпуса: SOT-23
- Power Dissipation Pd: 960 мВт
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
- Voltage Vgs th Min: 0.6 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Roth Elektronik - RE901