Datasheet ZXMN10A08E6 - Diodes Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23-6 — Даташит
Наименование модели: ZXMN10A08E6
Купить ZXMN10A08E6 на РадиоЛоцман.Цены — от 16 до 99 ₽ 34 предложений от 19 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные | |||
ZXMN10A08E6TA Diodes | 16 ₽ | ||
ZXMN10A08E6TA Diodes | от 21 ₽ | ||
ZXMN10A08E6TA Diodes | 22 ₽ | ||
ZXMN10A08E6TA Diodes | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Diodes
Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23-6
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 1.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 400 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 1.9 А
- Current Temperature: 25°C
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- Количество транзисторов: 1
- On State Resistance Max: 400 МОм
- Тип корпуса: SOT-23
- Power Dissipation Pd: 1.1 Вт
- Pulse Current Idm: 5.3 А
- SMD Marking: 10A8
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
- Voltage Vds Typ: 100 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Min: 2 В
RoHS: есть