Datasheet STT818B - STMicroelectronics Даташит Транзистор, NPN, 80 В, 1 А, SOT-23-6L — Даташит
Наименование модели: STT818B
Купить STT818B на РадиоЛоцман.Цены — от 25 до 1 221 ₽ 32 предложений от 15 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные — одиночные | |||
STT818B STMicroelectronics | от 25 ₽ | ||
STT818B STMicroelectronics | от 39 ₽ | ||
STT818B STMicroelectronics | от 41 ₽ | ||
STT818B | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Транзистор, NPN, 80 В, 1 А, SOT-23-6L
Краткое содержание документа:
STT818B
High gain low voltage PNP power transistor
Features
Very low collector to emitter saturation voltage DC current gain > 100 (hFE) 3 A continuous collector current (IC)
Applications
Спецификации:
- Полярность транзистора: PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -30 В
- Корпус транзистора: SOT-23
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Av Current Ic: 3 А
- Collector Emitter Voltage Vces: -150 мВ
- Ток коллектора постоянный максимальный: 6 А
- Current Ic Continuous a Max: -2 А
- DC Current Gain: 100 мА
- DC Current Gain Min: 100
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: SOT-23
- Power Dissipation Pd: 1.2 Вт
- Рассеиваемая мощность максимальная: 1.2 Вт
- SMD Marking: 818B
- Saturation Current Ic: -500 мА
- Способ монтажа: SMD
- Обратный ток перехода база-коллектор: -30 В
RoHS: есть