Datasheet MJL21194G - ON Semiconductor Даташит Транзистор, NPN, TO-264 — Даташит
Наименование модели: MJL21194G
Купить MJL21194G на РадиоЛоцман.Цены — от 27 до 732 ₽ 39 предложений от 19 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные — одиночные | |||
MJL21193G/MJL21194G ON Semiconductor | 27 ₽ | ||
MJL21194G ON Semiconductor | 76 ₽ | ||
MJL21194G ON Semiconductor | от 345 ₽ | ||
MJL21194G ON Semiconductor | от 556 ₽ |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Транзистор, NPN, TO-264
Краткое содержание документа:
MJL21193, MJL21194 Silicon Power Transistors
The MJL21193 and MJL21194 utilize Perforated Emitter technology and are specifically designed for high power audio output, disk head positioners and linear applications.
Features
· Total Harmonic Distortion Characterized · High DC Current Gain - · · ·
http://onsemi.com
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 250 В
- Частота единичного усиления типовая: 4 МГц
- Power Dissipation Pd: 200 Вт
- DC Collector Current: 16 А
- Корпус транзистора: TO-264
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Av Current Ic: 16 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.4 В
- Ток коллектора постоянный максимальный: 16 А
- Current Ic Continuous a Max: 16 А
- DC Current Gain: 8 А
- Маркировка: MJL21194
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Частота единичного усиления минимальная: 4 МГц
- DC Current Gain Min: 25
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: TO-264
- Рассеиваемая мощность максимальная: 200 Вт
- Pulsed Current Icm: 30 А
- Способ монтажа: Through Hole
- Обратный ток перехода база-коллектор: 400 В
RoHS: есть