Datasheet PBSS5630PA - NXP Даташит Транзистор, PNP, 30 В, 6 А, SOT1061 — Даташит
Наименование модели: PBSS5630PA
Купить PBSS5630PA на РадиоЛоцман.Цены — от 17 до 1 385 ₽ 31 предложений от 13 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные — одиночные | |||
PBSS5630PA Nexperia | от 17 ₽ | ||
PBSS5630PA115 NXP | 23 ₽ | ||
PBSS5630PA.115 | 1 385 ₽ | ||
PBSS5630PA,115 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Транзистор, PNP, 30 В, 6 А, SOT1061
Краткое содержание документа:
PBSS5630PA
30 V, 6 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
Rev.
01 -- 19 March 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -30 В
- DC Collector Current: -6 А
- DC Current Gain: 345
- Transition Frequency Typ ft: 80 МГц
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: SOT-1061
- Полярность транзистора: PNP
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Рассеиваемая мощность: 2.1 Вт
- Частота единичного усиления типовая: 80 МГц
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)