Datasheet PBSS4160DPN,115 - NXP Даташит TRANS NPN/PNP 60 В 1 А SC-74 — Даташит

Купить PBSS4160DPN,115 на РадиоЛоцман.Цены — от 8.34 до 42 ₽ 33 предложений от 16 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные — массивы
T-electron Россия и страны СНГ	PBSS4160DPN.115 Nexperia	8.34 ₽	Купить
ICdarom.ru Россия	PBSS4160DPN.115 NEX-NXP TSOP6 Nexperia	от 21 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	PBSS4160DPN115 NXP	27 ₽	Купить
LIXINC Electronics Весь мир	PBSS4160DPN,115 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: TRANS NPN/PNP 60 В 1 А SC-74

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PBSS4160DPN
60 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor
Rev.

03 -- 11 December 2009 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60 В
• Collector Emitter Voltage Vces: 110 мВ
• Current Ic Continuous a Max: 100 мА
• DC Collector Current: 1 А
• DC Current Gain Min: 250
• DC Current Gain: 500
• Transition Frequency Typ ft: 220 МГц
• Количество выводов: 6
• Корпус транзистора: SOT-457
• Полярность транзистора: NPN / PNP
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
• Рассеиваемая мощность: 420 мВт
• Способ монтажа: SMD
• Тип корпуса: SOT-457
• Тип транзистора: Low Saturation (BISS)
• Частота единичного усиления типовая: 220 МГц
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

Варианты написания:

PBSS4160DPN115, PBSS4160DPN 115