Datasheet PBSS306PZ,135 - NXP Даташит TRANS PNP 100 В 4.1 А SOT-223 — Даташит

Купить PBSS306PZ,135 на РадиоЛоцман.Цены — от 21 до 105 ₽ 35 предложений от 15 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные — одиночные
T-electron Россия и страны СНГ	PBSS306PZ.135 Nexperia	21 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	PBSS306PZ135 NXP	24 ₽	Купить
Akcel Весь мир	PBSS306PZ,135 Nexperia	от 31 ₽	Купить
Элитан Россия	PBSS306PZ135 NXP	56 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: TRANS PNP 100 В 4.1 А SOT-223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PBSS306PZ
100 V, 4.1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
Rev.

02 -- 11 December 2009 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -100 В
• Collector Emitter Voltage Vces: -65 мВ
• Current Ic Continuous a Max: -500 мА
• DC Collector Current: -4.1 А
• DC Current Gain Min: 200
• DC Current Gain: 300
• Transition Frequency Typ ft: 100 МГц
• Количество выводов: 4
• Корпус транзистора: SOT-223
• Полярность транзистора: PNP
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
• Рассеиваемая мощность: 700 мВт
• Способ монтажа: SMD
• Тип корпуса: SOT-223
• Тип транзистора: Low Saturation (BISS)
• Частота единичного усиления типовая: 100 МГц
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

Варианты написания:

PBSS306PZ135, PBSS306PZ 135