Datasheet NTE392 - NTE Electronics Даташит Биполярный транзистор, NPN, 100 В, TO-218 — Даташит
Наименование модели: NTE392
Купить NTE392 на РадиоЛоцман.Цены — от 558 до 54 920 ₽ 6 предложений от 6 поставщиков Silicon Complementary Transistors General Purpose | |||
NTE392 NTE Electronics | 558 ₽ | ||
NTE392 NTE Electronics | 593 ₽ | ||
NTE392 | 54 920 ₽ | ||
NTE392 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NTE Electronics
Описание: Биполярный транзистор, NPN, 100 В, TO-218
Краткое содержание документа:
NTE392 (NPN) & NTE393 (PNP) Silicon Complementary Transistors General Purpose
Description: The NTE392 (NPN) and NTE393 (PNP) are silicon compelementary transistors in a TO218 type package designed for general purpose power amplifier and switching applications.
Features: D 25A Collector Current D Low Leakage Current: ICEO = 1mA @ VCE = 60V D Excellent DC Gain: hFE = 40 Typ @ 15A D High Current Gain Bandwidth Product: hfe = 3 Min @ IC = 1A, f = 1MHz Absolute Maximum Ratings: Collector-Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V Collector-Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V Emitter-Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V Collector Current, IC Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В
- Transition Frequency Typ ft: 3 МГц
- Power Dissipation Pd: 125 Вт
- DC Collector Current: 25 А
- DC Current Gain Max (hfe): 75
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- WAKEFIELD SOLUTIONS - 273-AB