Datasheet NTE262 - NTE Electronics Даташит Составной транзистор Дарлингтона, NPN, 100 В, TO-220 — Даташит

NTE Electronics NTE262

Наименование модели: NTE262

Купить NTE262 на РадиоЛоцман.Цены — от 226 до 26 982 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier
ChipWorker Весь мир	NTE262 NTE Electronics	226 ₽
ЧипСити Россия	NTE262 NTE Electronics	227 ₽
ТаймЧипс Россия	NTE-262	по запросу
МосЧип Россия	NTE262. NTE Electronics	по запросу

LED-драйверы MOSO для индустриальных приложений

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: Составной транзистор Дарлингтона, NPN, 100 В, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE261 (NPN) & NTE262 (PNP) Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier
Description: The NTE261 (NPN) and NTE262 (PNP) are complementary silicon Darlington power transistors in a TO220 type package designed for general purpose amplifier and lowspeed switching applications.

Features: D High DC Current Gain: hFE = 2500 Typ @ IC = 4A D CollectorEmitter Sustaining Voltage: VCEO(sus) = 100V Min @ 100mA D Low CollectorEmitter Saturation Voltage: VCE(sat) = 2V Max @ IC = 3A = 4V Max @ IC = 5A D Monolithic Construction with BuiltIn BaseEmitter Shunt Resistor Absolute Maximum Ratings: CollectorEmitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V CollectorBase Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V EmitterBase Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Спецификации:

C-E Breakdown Voltage: 100 В
DC Current Gain Min (hfe): 4.0
Тип корпуса: TO-220
Ток номинальный: 5 А
Number of Cross References: 293
Способ монтажа: 5
Voltage Rating: 100 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

Fairchild - TIP115
Fairchild - TIP127