Datasheet NTE199 - NTE Electronics Даташит Биполярный транзистор, NPN, 50 В, TO-92 — Даташит

Купить NTE199 на РадиоЛоцман.Цены — от 118 до 13 229 ₽ 10 предложений от 10 поставщиков Silicon NPN Transistor Low Noise, High Gain Amplifier
AiPCBA Весь мир	NTE199 NTE Electronics	118 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	NTE199 NTE Electronics	145 ₽	Купить
Элитан Россия	NTE199 NTE Electronics	1 189 ₽	Купить
TradeElectronics Россия	NTE-199	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: Биполярный транзистор, NPN, 50 В, TO-92

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE199 Silicon NPN Transistor Low Noise, High Gain Amplifier
Description: The NTE199 is a silicon NPN transistor in a TO92 type package designed especially for low noise preamplifier and small signal industrial amplifier applications.

This device features low collector saturation voltage, tight beta control, and excellent low noise characteristics. Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Collector­Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V Collector­Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70V Emitter­Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V Steady State Collector Current (Note 1), IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA Total Power Dissip

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
• Power Dissipation Pd: 360 мВт
• DC Collector Current: 100 мА
• DC Current Gain Max (hfe): 800
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +125°C

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fairchild - 2N3391A..
• Fairchild - 2N3859A