Datasheet MJ11015 - Multicomp Даташит Составной транзистор Дарлингтона, TO-3 — Даташит
Наименование модели: MJ11015
![]() 62 предложений от 33 поставщиков Составные транзисторы - транзисторы Дарлингтона 30A 120V Bipolar | |||
MJ11015G ON Semiconductor | от 12 ₽ | ||
MJ11015G ON Semiconductor | 706 ₽ | ||
MJ11015 ON Semiconductor | по запросу | ||
MJ11015/US ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Multicomp
Описание: Составной транзистор Дарлингтона, TO-3
Краткое содержание документа:
1165917
High-current complementary silicon transistors.
For use output devices in complementary general purpose amplifier applications.
Features:
· · · High DC current gain - hFE = 1000 (minimum) at IC - 20A dc. Monolithic construction with built-in base emitter shunt resistor. Junction temperature to +200°C.
(TO-3)
Спецификации:
- Полярность транзистора: PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 120 В
- Power Dissipation Pd: 200 Вт
- DC Collector Current: 30 А
- Корпус транзистора: TO-3
- Количество выводов: 2
- Av Current Ic: 30 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 4 В
- Ток коллектора постоянный максимальный: 30 А
- Current Ic Continuous a Max: 30 А
- DC Current Gain: 20 А
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- DC Current Gain Min: 1000
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: TO-3
- Рассеиваемая мощность максимальная: 200 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Тип транзистора: Darlington
- Обратный ток перехода база-коллектор: 120 В
RoHS: Y-Ex
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - AKK 191
- Fischer Elektronik - FK 201SA-3
- Fischer Elektronik - SK 04/50 SA
- Fischer Elektronik - WLK 5