Datasheet ZXTN25050DFH - Diodes Даташит Транзистор, NPN, SOT-23 — Даташит
Наименование модели: ZXTN25050DFH
Купить ZXTN25050DFH на РадиоЛоцман.Цены — от 42 до 3 131 ₽ 17 предложений от 9 поставщиков TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:50V; Current Ic Continuous a Max:4A | |||
| ZXTN25050DFH Diodes | 42 ₽ | ||
| ZXTN25050DFH Diodes | 57 ₽ | ||
| ZXTN25050DFH Diodes | от 74 ₽ | ||
| ZXTN25050DFH Diodes | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Diodes
Описание: Транзистор, NPN, SOT-23
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
ZXTN25050DFH 50V, SOT23, NPN medium power transistor
Summary
BVCEX > 150V BVCEO > 50V BVECO > 5V IC(cont) = 4A VCE(sat) < 60mV @ 1A RCE(sat) = 40m PD = 1.25W
Description
Advanced process capability and package design have been used to maximize the power handling and performance of this small outline transistor.
The compact size and ratings of this device make it ideally suited to applications where space is at a premium.
Данные для моделированияСпецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
- Gain Bandwidth ft Typ: 200 МГц
- Power Dissipation Pd: 1.25 Вт
- DC Collector Current: 4 А
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Collector Emitter Voltage Vces: 60 мВ
- Continuous Collector Current Ic Max: 4 А
- Current Gain Hfe Max: 900
- Current Ic Continuous a Max: 4 А
- Current Ic hFE: 10 мА
- DC Current Gain Hfe Max: 900
- DC Current Gain Hfe Min: 300
- DC Current Gain hFE: 450
- Hfe Min: 300
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: SOT-23
- Рассеиваемая мощность максимальная: 1.25 Вт
- SMD Marking: 017
- Tape Width: 8 мм
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vcbo: 150 В
- Current Ic hfe -Do Not Use See ID 1182: 10 мА
RoHS: есть
