Datasheet ZTX618 - Diodes Даташит Транзистор, NPN E-LINE — Даташит

Купить ZTX618 на РадиоЛоцман.Цены — от 19 до 2 585 ₽ 34 предложений от 16 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные — одиночные
LIXINC Electronics Весь мир	ZTX618STZ Diodes	от 19 ₽	Купить
HXD Co. Весь мир	ZTX618STZ Diodes	43 ₽	Купить
Онлайн Компоненты Россия	ZTX618 Diodes	от 62 ₽	Купить
Океан Электроники Россия	ZTX618STOA Diodes	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Транзистор, NPN E-LINE

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
ISSUE 2 JULY 1995 FEATURES * 10A Peak pulse current * Excellent hFE characteristics up to10A (pulsed) * Extremely low saturation voltage e.g.

7mV typ. * IC cont 3.5A APPLICATIONS * Power MOSFET gate driver in conjunction with complementary ZTX718
ZTX618
C B
E

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 20 В
• Gain Bandwidth ft Typ: 140 МГц
• Корпус транзистора: E-Line
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Collector Emitter Voltage Vces: 255 мВ
• Continuous Collector Current Ic Max: 3.5 А
• Current Ic @ Vce Sat: 3.5 А
• Current Ic Continuous a Max: 3.5 А
• Current Ic hFE: 200 мА
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Gain Bandwidth ft Min: 100 МГц
• Hfe Min: 300
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: E-Line
• Рассеиваемая мощность максимальная: 1 Вт
• Pulsed Current Icm: 10 А
• Тип транзистора: Power Bipolar
• Voltage Vcbo: 20 В