Datasheet LF298M/NOPB - National Semiconductor Даташит ИС, выборки-хранения усилитель 1 МГц 20 uS, SOIC-1 — Даташит

Купить LF298M/NOPB на РадиоЛоцман.Цены — от 121 до 428 ₽ 25 предложений от 13 поставщиков Интегральные микросхемы Аналоговая техника — усилители — инструменты, ОУ (операционные), буферные
T-electron Россия и страны СНГ	LF298M/NOPB Texas Instruments	121 ₽	Купить
EIS Components Весь мир	LF298M/NOPB Texas Instruments	134 ₽	Купить
ЗУМ-СМД Россия	LF298MNOPB Texas Instruments	по запросу	Купить
LIXINC Electronics Весь мир	LF298M/NOPB Texas Instruments	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: National Semiconductor

Описание: ИС, выборки-хранения усилитель 1 МГц 20 uS, SOIC-1

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
LF198/LF298/LF398, LF198A/LF398A Monolithic Sample-and-Hold Circuits
July 2000
LF198/LF298/LF398, LF198A/LF398A Monolithic Sample-and-Hold Circuits
General Description
The LF198/LF298/LF398 are monolithic sample-and-hold circuits which utilize BI-FET technology to obtain ultra-high dc accuracy with fast acquisition of signal and low droop rate.

Operating as a unity gain follower, dc gain accuracy is 0.002% typical and acquisition time is as low as 6 µs to 0.01%. A bipolar input stage is used to achieve low offset voltage and wide bandwidth. Input offset adjust is accomplished with a single pin, and does not degrade input offset drift. The wide bandwidth allows the LF198 to be included inside the feedback loop of 1 MHz op amps without having stability problems. Input impedance of 1010 allows high source impedances to be used without degrading accuracy. P-channel junction FET's are combined with bipolar devices in the output amplifier to give droop rates as low as 5 mV/min with a 1 µF

Спецификации:

• Время выборки: 20 мкс
• Диапазон напряжения питания: ± 5 В ... ± 18 В
• Количество выводов: 14
• Количество усилителей: 1
• Напряжение смещения входа: 1 мВ
• Полоса частот: 1 МГц
• Тип корпуса: SOIC
• RoHS: да