Datasheet 20MT120UFPBF - Vishay Даташит IGBT MODULE, FULL BRIDGE — Даташит

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: IGBT MODULE, FULL BRIDGE

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
5/
I27124 rev.

D 02/03
20MT120UF
"FULL-BRIDGE" IGBT MTP
Features

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Collector Emitter Voltage Vces: 3.59 В
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Корпус транзистора: MTP
• Тип корпуса: MTP
• Тип транзистора:
• Current Ic @ Vce Sat: 20 А
• Current Ic Continuous a Max: 40 А
• Power Dissipation Pd: 240 Вт
• Pulsed Current Icm: 100 А

RoHS: есть