Datasheet GA050ABPL12 - Genesic Semiconductor Даташит IGBT, 1200 В, 50 А, MODULE — Даташит
Наименование модели: GA050ABPL12
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A Phase Leg IGBT Module | |||
| GA050ABPL12 Genesic Semiconductor | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Genesic Semiconductor
Описание: IGBT, 1200 В, 50 А, MODULE
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
Parameter IGBT Collector-Emitter Voltage DC-Collector Current Gate Emitter Peak Voltage Operating Temperature Storage Temperature Insulation Test Voltage Free-wheeling diode DC-Forward Current Repetitive Peak Forward Current Forward Surge Current Thermal Properties Th.
Resistance Junction to Case
Th. Resistance Case to Heat Sink
Symbol VCES ICM VGES Tvj Tstg VISOL IF IFM IFSM RthJC RthCS
Conditions
Values 1200 75 (50) ±20 -40 to +125 -40 to +150 2500 75 (50) tP= 1ms 150 (100) 500 0.3 0.7 Values
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 50 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 1200 В
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ... +125°C
- Корпус транзистора: Module
- Количество выводов: 7
