Datasheet FP75R12KT4_B11 - Infineon Даташит IGBT, LOW POW, 1200 В, 75 А, ECONOPIM — Даташит
Наименование модели: FP75R12KT4_B11
![]() 25 предложений от 20 поставщиков Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 75A | |||
FP75R12KT4 Infineon | 3 361 ₽ | ||
FP75R12KT4 Infineon | 3 537 ₽ | ||
FP75R12KT4 Infineon | 12 113 ₽ | ||
FP75R12KT4 Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT, LOW POW, 1200 В, 75 А, ECONOPIM
Краткое содержание документа:
! ! " " #$ #$ ! ! %% ) % ! " " & & ' ! ( & ( &
'()* + ' ,( -./ + 0% 1 ,(23 + %
4 *8 *: *
5 5
6
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 75 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.85 В
- Power Dissipation Max: 385 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: EconoPIM
- Количество выводов: 35
RoHS: есть