Datasheet FP75R12KE3 - Infineon Даташит IGBT MODULE, 1200 В, ECONOPIM — Даташит

Infineon FP75R12KE3

Наименование модели: FP75R12KE3

Купить FP75R12KE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 8 404 до 29 825 ₽ 43 предложений от 26 поставщиков Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A PIM
Maybo Весь мир	FP75R12KE3BOSA1 Infineon	12 020 ₽
ChipWorker Весь мир	FP75R12KE3BOSA1 Infineon	12 373 ₽
Элитан Россия	FP75R12KE3BOSA1 Infineon	19 861 ₽
727GS Весь мир	FP75R12KE3 Infineon	по запросу

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT MODULE, 1200 В, ECONOPIM

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
FP75R12KE3
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hцchstzulдssige Werte / Maximum rated values

Спецификации:

Module Configuration: Seven
Полярность транзистора: N Channel
DC Collector Current: 105 А
Collector Emitter Voltage Vces: 2.3 В
Power Dissipation Max: 350 Вт
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+125°C
Корпус транзистора: EconoPIM 2
Количество выводов: 24
Тип корпуса: Econopim 2
Способ монтажа: Solder
Тип транзистора:
Current Ic Continuous a Max: 105 А
Forward Current If(AV): 75 А
Forward Surge Current Ifsm Max: 500 А
Power Dissipation: 350 Вт
Power Dissipation Ptot Max: 350 Вт
Pulsed Current Icm: 150 А
Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 1600 В
Voltage Vces: 1.2 кВ

RoHS: есть